半導体検査用片持ち梁型シリコンプローブの三次元配線プロセス

カテゴリ: 論文誌(論文単位)

グループ名: 【E】センサ・マイクロマシン部門

発行日: 2015/08/01

タイトル(英語): Three-Dimensional Wiring Fabricating Process of Cantilever-type Silicon Probe for Semiconductor Testing

著者名: 青野　宇紀（（株）日立製作所 日立研究所），金丸　昌敏（（株）日立製作所 日立研究所），河野　竜治（（株）日立製作所 日立研究所），細金　敦（（株）日立製作所 日立研究所）

著者名(英語): Takanori Aono (Hitachi, Ltd., Hitachi Research Laboratory), Masatoshi Kanamaru (Hitachi, Ltd., Hitachi Research Laboratory), Ryuji Kohno (Hitachi, Ltd., Hitachi Research Laboratory), Atsushi Hosogane (Hitachi, Ltd., Hitachi Research Laboratory)

キーワード: 片持ち梁，プローブカード，異方性エッチング，三次元配線，半導体検査　　Cantilever，Probe card，Anisotropic etching，Three-dimensional wiring，Semiconductor testing

要約(英語): A fabricating method of three-dimensional wirings on a cantilever-type silicon probe has been developed for a semiconductor testing. The cantilever-type silicon probe consists of probe-tips, cantilevers, apertures and three-dimensional wirings. The wiring is connected from probe-tip to back-side electrode via cantilever edge, cantilever backside and aperture side-wall. The problem of the cantilever-type silicon probe is that breakings of wiring occur at the cantilever edge and the aperture edge. The shapes of the cantilever edge and the aperture edge are optimized by applying a compensation mask and a roof-removal mask, respectively. We fabricate the cantilever-type silicon probe without breaking of wiring in 1216 pins, and confirm to be able to contact aluminum electrodes on the semiconductor.

本誌: 電気学会論文誌E（センサ・マイクロマシン部門誌） Vol.135 No.8 （2015） 特集：ケミカルセンサの基礎

本誌掲載ページ: 349-354 p

原稿種別: 論文／日本語

電子版へのリンク: https://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejsmas/135/8/135_349/_article/-char/ja/