超並列電子線描画用LSIの設計と評価
超並列電子線描画用LSIの設計と評価
カテゴリ: 論文誌(論文単位)
グループ名: 【E】センサ・マイクロマシン部門
発行日: 2015/10/01
タイトル(英語): An LSI for Massive Parallel Electron Beam Lithography: Its Design and Evaluation
著者名: 宮口 裕(東北大学 マイクロシステム融合研究開発センター),室山 真徳(東北大学 マイクロシステム融合研究開発センター),吉田 慎哉(東北大学 マイクロシステム融合研究開発センター),池上 尚克(東北大学 マイクロシステム融合研究開発センター),小島 明(東北大学 マイクロシステム融合研究開発センター),金子 亮介(東北大学 マイクロシステム融合研究開発センター),戸津 健太郎(東北大学 マイクロシステム融合研究開発センター),田中 秀治(東北大学 マイクロシステム融合研究開発センター),越田 信義(東京
著者名(英語): Hiroshi Miyaguchi (Tohoku University, Micro System Integration Center), Masanori Muroyama (Tohoku University, Micro System Integration Center), Shinya Yoshida (Tohoku University, Micro System Integration Center), Naokatsu Ikegami (Tohoku University, Micro System Integration Center), Akira Kojima (Tohoku University, Micro System Integration Center), Ryosuke Kaneko (Tohoku University, Micro System Integration Center), Kentaro Totsu (Tohoku University, Micro System Integration Center), Shuji Tanaka (Tohoku University, Micro System Integration Center), Nobuyoshi Koshida (Tokyo University of Agriculture and Technology), Masayoshi Esashi (Tohoku University, Micro System Integration Center)
キーワード: 電子線描画,集積回路,収差補正,素子分離,アクティブマトリックス,バラツキ補正 Electron beam lithography,Integrated circuit,Aberration correction,Element isolation,Active matrix,Variation compensation
要約(英語): An LSI for the Massive Parallel Electron Beam Lithography using nc-Si (Nano Cristal Silicon) has been developed. It can drive a 100×100 electron emitter as an active matrix electron emitter with an innovative aberration correction scheme, a compensation scheme for electron beam intensity variation and a test circuit for testing LSI during integration on the system. This LSI was evaluated and confirmed its basic function of the active matrix, the electron emitter process variation compensation and the test for integrated devices.
本誌: 電気学会論文誌E(センサ・マイクロマシン部門誌) Vol.135 No.10 (2015)
本誌掲載ページ: 374-381 p
原稿種別: 論文/日本語
電子版へのリンク: https://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejsmas/135/10/135_374/_article/-char/ja/
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