1つの素子のみで8方向検出可能な8角形nMOSFET型応力センサ

カテゴリ: 論文誌(論文単位)

グループ名: 【E】センサ・マイクロマシン部門

発行日: 2016/09/01

タイトル(英語): 8 Directions Detectable Octagonal nMOSFET Stress Sensor

著者名: 貝和　航陽(山形大学 大学院理工学研究科),山崎　義人(山形大学 大学院理工学研究科),原田　知親(山形大学 大学院理工学研究科)

著者名(英語): Koyo Kaiwa (Graduate School of Science and Engineering, Yamagata University), Yoshihito Yamazaki (Graduate School of Science and Engineering, Yamagata University), Tomochika Harada (Graduate School of Science and Engineering, Yamagata University)

キーワード: 応力センサ,8角形MOSFET,せん断応力　　strain sensor,Octagonal MOSFET,shear stress

要約(英語): In this paper, we design, fabricate, and evaluate Octagonal nMOSFET stress sensor for 8 direction stress detection. In previous works, stress detection device or devices, such as resistor and etc., have to be reattached along stress direction for measurement, because most of the stress sensors can detect only one dimension. However, this device is not necessary to reattach because this device has radial eight direction output terminals. As the results, we can realize that it is able to detect 8 dimensional stress directions.

本誌: 電気学会論文誌E（センサ・マイクロマシン部門誌） Vol.136 No.9 （2016） 特集：マイクロ・ナノ医療デバイス

本誌掲載ページ: 420-424 p

原稿種別: 論文／日本語

電子版へのリンク: https://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejsmas/136/9/136_420/_article/-char/ja/