PZT系単結晶薄膜を用いた圧電MEMSのためのYSZエピタキシャルバッファ層のウエハレベルスパッタ成膜

カテゴリ: 論文誌(論文単位)

グループ名: 【E】センサ・マイクロマシン部門

発行日: 2016/10/01

タイトル(英語): Sputter Deposition of YSZ Epitaxial Buffer Layer at Wafer Level for Piezoelectric MEMS Utilizing PZT-based Monocrystalline Thin Film

著者名: 西澤　信典（東北大学大学院工学研究科ロボティクス専攻田中（秀）研究室），吉田　慎哉（東北大学大学院工学研究科ロボティクス専攻田中（秀）研究室），和佐　清孝（横浜市立大学），田中　秀治（東北大学大学院工学研究科ロボティクス専攻田中（秀）研究室）

著者名(英語): Shinsuke Nishizawa (Shuji Tanaka Lab., Department of Bioengineering and Robotics, Tohoku University), Shinya Yoshida (Shuji Tanaka Lab., Department of Bioengineering and Robotics, Tohoku University), Kiyotaka Wasa (Yokohama City University), Shuji Tanaka (Shuji Tanaka Lab., Department of Bioengineering and Robotics, Tohoku University)

キーワード: 圧電MEMS，エピタキシャル成長，チタン酸ジルコン酸鉛（PZT），単結晶膜　　Piezoelectric MEMS，epitaxial growth，lead zirconate titanate (PZT)，single crystalline film

要約(英語): Yttria-stabilized zirconia (YSZ) for the initial buffer layer of lead zirconate titanate (PZT) was epitaxially deposited on a 4 inch Si wafer by radio-frequency magnetron sputtering, which was potentially applicable to mass-production. To avoid excessive oxidation of a Si surface, a seeding later was formed on Si by repeating the sputter-deposition and thermal oxidation of metallic Zr and Y. On the seed layer, YSZ was deposited up to 100 nm in thickness by reactive sputtering at 800℃. Cube-on-cube epitaxial growth and excellent crystallinity were confirmed by X-ray diffraction (XRD). On the buffer layer including YSZ at the bottom (YSZ/CeO2/LSCO/SRO), monocrystalline doped-PZT (PMnN-PZT) was grown by sputter-deposition, demonstrating the usefulness of the developed YSZ buffer layer deposition technology.

本誌: 電気学会論文誌E（センサ・マイクロマシン部門誌） Vol.136 No.10 （2016）

本誌掲載ページ: 437-442 p

原稿種別: 論文／日本語

電子版へのリンク: https://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejsmas/136/10/136_437/_article/-char/ja/