レーザー加熱によるPZT膜配向性制御と膜評価

カテゴリ: 論文誌(論文単位)

グループ名: 【E】センサ・マイクロマシン部門

発行日: 2016/12/01

タイトル(英語): Orientation Control and Properties of PZT Film Crystalized using Laser Annealing System

著者名: 数佐　純子（ミニマルファブ技術研究組合），古賀　和博（ミニマルファブ技術研究組合），梅山　規男（ミニマルファブ技術研究組合），居村　史人（ミニマルファブ技術研究組合），野田　大二（マイクロマシンセンター・マイクロナノオープンイノベーションセンター），クンプアン　ソマワン（国立研究開発法人産業技術総合研究所），原　史朗（国立研究開発法人産業技術総合研究所）

著者名(英語): Junko Kazusa (Minimal fab.), Kazuhiro Koga (Minimal fab.), Norio Umeyama (Minimal fab.), Fumito Imura (Minimal fab.), Daiji Noda (MicroMachine Center・MicroNano Open Innovation Center), Sommawan Khumpuang (AIST.), Shiro Hara (AIST.)

キーワード: PZT，ゾルゲル法，ミニマル，レーザー加熱，昇温速度　　PZT，sol-gel，minimal，laser，ramping-rate

要約(英語): A recently developed PZT sol-gel deposition machine for minimal fab is employed to form a PZT film with various temperature ramping rates. The machine is equipped with a spin coating unit for a PZT sol-gel solution and laser heating unit which is newly applied to use as a rapid thermal annealing (RTA) for a device manufacturing process on a half-inch wafer. The thin film formation can be repeated for many times without terminating the process. The laser heating system can control the ramping rate of the heating in a wide range. In this work, we introduce for the first time detailed analyses of the PZT film annealed using laser heating method. Annealing with a high ramping rate of 60℃/sec in a crystallization process, a PZT (100) film is formed on the Si wafer. In contrast, with a low ramping rate of 1.7℃/sec, a PZT (111) film is formed. The PZT (100) and (111) films are analyzed using X-ray diffraction and Rutherford Backscattering Spectroscopy.

本誌: 電気学会論文誌E（センサ・マイクロマシン部門誌） Vol.136 No.12 （2016）

本誌掲載ページ: 493-498 p

原稿種別: 論文／日本語

電子版へのリンク: https://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejsmas/136/12/136_493/_article/-char/ja/