ミニマルエッチング装置を用いたボッシュプロセスにおけるスキャロップの低減化

カテゴリ: 論文誌(論文単位)

グループ名: 【E】センサ・マイクロマシン部門

発行日: 2016/12/01

タイトル(英語): Scallop Reduction in Bosch Process Using a Small Chamber and Rapid Gas Switching Rate

著者名: 田中　宏幸（国立研究開発法人 産業技術総合研究所／ミニマルファブ技術研究組合），小木曽　久人（国立研究開発法人 産業技術総合研究所／ミニマルファブ技術研究組合），中野　禅（国立研究開発法人 産業技術総合研究所／ミニマルファブ技術研究組合），速水　利泰（ミニマルファブ技術研究組合／SPPテクノロジーズ（株）），宮崎　俊也（ミニマルファブ技術研究組合／SPPテクノロジーズ（株）），クンプアン　ソマワン（国立研究開発法人 産業技術総合研究所／ミニマルファブ技術研究組合），原　史朗（国立研究開発法人 産業技術総合

著者名(英語): Hiroyuki Tanaka (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology/National Institute of Advanced Industrial Science and Technology), Hisato Ogiso (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology/National Institute of Advanced Industrial Science and Technology), Shizuka Nakano (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology/National Institute of Advanced Industrial Science and Technology), Toshihiro Hayami (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology/SPP Technologies Co., Ltd.), Toshiya Miyazaki (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology/SPP Technologies Co., Ltd.), Sommawan Khumpuang (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology/National Institute of Advanced Industrial Science and Technology), Shiro Hara (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology/National Institute of Advanced Industrial Science and Technology)

キーワード: ミニマルファブ，MEMS，深掘り，ボッシュプロセス，ICP，ハーフインチウェハ　　Minimal Fab，MEMS，Deep Trench，Bosch Process，ICP，Half inch wafer

要約(英語): We have developed an inductively-coupled plasma-reactive ion etching system (ICP-RIE) in a human-size machine of minimal fab for processing a half-inch wafer. The etching system has performed a Bosch etching process with a short switching cycle in a tiny chamber with a volume of 1/4l. For the tiny chamber, a plasma density generated by typical radio frequency of 13.56 MHz is too low according to the small space of the chamber. Thus, a higher frequency of 100 MHz is employed for a high density plasma operation although the power consumed is only ～40W. The Si etching rate of the Bosch process is ～2.5μm/min. Moreover, owing to a fast residence time of ～0.2 second, deposition gas (C4F8) and etching gas (SF6) are exchanged rapidly, which makes a Bosch cycle time of only 2 seconds. The resultant etching sidewall of Si structure becomes a scallop-less straight wall.

本誌: 電気学会論文誌E（センサ・マイクロマシン部門誌） Vol.136 No.12 （2016）

本誌掲載ページ: 499-504 p

原稿種別: 論文／日本語

電子版へのリンク: https://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejsmas/136/12/136_499/_article/-char/ja/