高感度a-InGaZnO TFT pHセンサのドリフト制御とVgs出力応答

カテゴリ: 論文誌(論文単位)

グループ名: 【E】センサ・マイクロマシン部門

発行日: 2017/03/01

タイトル(英語): Drift Control and Vgs-output Response of High-sensitivity a-InGaZnO TFT pH Sensors

著者名: 岩松　新之輔（山形県工業技術センター），阿部　泰（山形県工業技術センター），今野　俊介（山形県工業技術センター），加藤　睦人（山形県工業技術センター），竹知　和重（NLTテクノロジー（株）），田邉　浩（NLTテクノロジー（株））

著者名(英語): Shinnosuke Iwamatsu (Yamagata Research Institute of Technology), Yutaka Abe (Yamagata Research Institute of Technology), Shunsuke Konno (Yamagata Research Institute of Technology), Mutsuto Katoh (Yamagata Research Institute of Technology), Kazushige Takechi (NLT Technologies, Ltd.), Hiroshi Tanabe (NLT Technologies, Ltd.)

キーワード: pHセンサ，インジウム-ガリウム-亜鉛酸化物，薄膜トランジスタ，トップゲート効果，高感度，ドリフト　　pH sensor，a-InGaZnO，TFT，top-gate effect，high sensitivity，drift

要約(英語): Amorphous indium-gallium-zinc oxide thin-film transistor based pH sensors utilizing a top-gate effect exhibit a high pH sensitivity beyond the Nernst theoretical limit. In this paper, we optimize the sequence for operating these sensors, and evaluate gate-to-source voltage (Vgs) response to small pH step variations. An intermittent operation obviously suppresses the long-term drift. As a result, the a-InGaZnO TFT pH sensor with the sensitivity of 450 mV/pH shows linear Vgs response to a pH step change of 0.1.

本誌: 電気学会論文誌E（センサ・マイクロマシン部門誌） Vol.137 No.3 （2017）

本誌掲載ページ: 89-94 p

原稿種別: 論文／日本語

電子版へのリンク: https://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejsmas/137/3/137_89/_article/-char/ja/