LSI一体集積のためのシリコン上PbS量子ドット赤外フォトダイオードの試作

カテゴリ: 論文誌(論文単位)

グループ名: 【E】センサ・マイクロマシン部門

発行日: 2018/07/01

タイトル(英語): Fabrication of PbS QD/Silicon Hybrid Infrared Photodiode for LSI Platform

著者名: 肥後　昭男（東京大学大規模集積システム設計教育研究センター），三田　吉郎（東京大学大学院工学系研究科），王　海濱（東京大学先端科学技術研究センター），久保　貴哉（東京大学先端科学技術研究センター），瀬川　浩司（東京大学先端科学技術研究センター），宇佐美　尚人（東京大学大学院工学系研究科），岡本　有貴（東京大学大学院工学系研究科），山田　健太郎（東京大学大学院工学系研究科），竹城　雄大（東京大学大学院工学系研究科），杉山　正和（東京大学先端科学技術研究センター）

著者名(英語): Akio Higo (VLSI Design and Education Research Center, The University of Tokyo), Yoshio Mita (Graduate School of Engineering, The University of Tokyo), Haibin Wang (Research Center for Advanced Science and Technology, The University of Tokyo), Takaya Kubo

キーワード: PbS，コロイド量子ドット，ZnO，シリコンプラットフォーム，赤外ディテクタ　　PbS，colloidal quantum dot，ZnO，silicon platform，IR detector

要約(英語): Near-infrared detectors by silicon based devices with large scale integration are very attractive for secure applications about image sensors. Beyond the silicon bandgap, we focus on PbS colloidal quantum dots (CQDs) and silicon integration. In this paper, we investigated fabrication processes of PbS CQDs and silicon hybrid IR detector. Temperature dependent photoluminescence of PbS CQDs thin films are measured and we found the bandgap of PbS CQDs do not change by various temperature. Optical response by a spectrometer were observed in 1550 nm range.

本誌: 電気学会論文誌E（センサ・マイクロマシン部門誌） Vol.138 No.7 （2018） 特集：第34回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム受賞論文

本誌掲載ページ: 307-311 p

原稿種別: 論文／日本語

電子版へのリンク: https://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejsmas/138/7/138_307/_article/-char/ja/