MEMS後加工のLSIの高耐圧化への利用に関するレビュー

カテゴリ: 論文誌(論文単位)

グループ名: 【E】センサ・マイクロマシン部門

発行日: 2018/07/01

タイトル(英語): A Review on Increasing of Breakdown Voltage of Standard CMOS LSI Circuits by MEMS Post-Process

著者名: 岡本　有貴（東京大学），三田　吉郎（東京大学）

著者名(英語): Yuki Okamoto (The University of Tokyo), Yoshio Mita (The University of Tokyo)

キーワード: MEMS後加工，CMOS-MEMS，高耐圧素子　　MEMS Post-process，CMOS-MEMS，High-voltage device

要約(英語): MEMS post-process is now used to develop the ability of an LSI chip. In this paper, increasing of breakdown voltage of a standard CMOS LSI chip is mainly remarked. Especially, MEMS post-processed transistors are described. The technology enables us to use standard CMOS foundry-made transistors on a silicon-on-insulator (SOI) wafer. The key fabrication process is mesa isolation postprocessing that physically separates a series-connected transistor's body. The process is a combination of anisotropic and isotropic deep reactive ion etching (DRIE) with a single mask. The high-voltage switching circuit can be integrated with series-connected high-voltage PV cells and has the possibility of an on-chip MEMS driver in a self-powered IoT device.

本誌: 電気学会論文誌E（センサ・マイクロマシン部門誌） Vol.138 No.7 （2018） 特集：第34回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム受賞論文

本誌掲載ページ: 319-326 p

原稿種別: 論文／日本語

電子版へのリンク: https://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejsmas/138/7/138_319/_article/-char/ja/