極薄Au薄膜を用いたウェハスケール・大気中常温接合のためのプラズマ処理方法の検討

カテゴリ: 論文誌(論文単位)

グループ名: 【E】センサ・マイクロマシン部門

発行日: 2019/07/01

タイトル(英語): Investigation of Plasma Treatment Conditions for Wafer-Scale Room-Temperature Bonding Using Ultrathin Au Films in Ambient Air

著者名: 山本　道貴（東京大学／産業技術総合研究所），松前　貴司（産業技術総合研究所），倉島　優一（産業技術総合研究所），高木　秀樹（産業技術総合研究所），須賀　唯知（東京大学），伊藤　寿浩（東京大学），日暮　栄治（東京大学／産業技術総合研究所）

著者名(英語): Michitaka Yamamoto (The University of Tokyo/National Institute of Advanced Industrial Science and Technology), Takashi Matsumae (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology), Yuichi Kurashima (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology), Hideki Takagi (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology), Tadatomo Suga (The University of Tokyo), Toshihiro Itoh (The University of Tokyo), Eiji Higurashi (The University of Tokyo/National Institute of Advanced Industrial Science and Technology)

キーワード: 極薄Au薄膜，Au-Auウェハ接合，常温接合，プラズマ処理　　ultrathin Au films，Au-Au bonding，wafer-scale room-temperature bonding，plasma treatment

要約(英語): Pretreatment using Ar or O2 plasma was investigated for wafer-scale room-temperature bonding using ultrathin Au films in ambient air. The main difference between Ar plasma and O2 plasma is their surface activation mechanism: physical etching and chemical reaction, respectively. Bonding strength of samples obtained by Ar plasma treatment was strong enough to be broken from Si substrates, while that of samples obtained by O2 plasma treatment was only about 0.1 J/m2.

本誌: 電気学会論文誌E（センサ・マイクロマシン部門誌） Vol.139 No.7 （2019） 特集：第35回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム受賞論文

本誌掲載ページ: 217-218 p

原稿種別: 研究開発レター／日本語

電子版へのリンク: https://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejsmas/139/7/139_217/_article/-char/ja/