大面積シリコンプローブの電解めっきによる配線形成プロセス

カテゴリ: 論文誌(論文単位)

グループ名: 【E】センサ・マイクロマシン部門

発行日: 2020/04/01

タイトル(英語): Wiring Techniques for Large Size Silicon Probe Using Electroplating

著者名: 青野　宇紀（（株）日立製作所 研究開発グループ 機械イノベーションセンタ），金丸　昌敏（（株）日立製作所 研究開発グループ 機械イノベーションセンタ），河野　竜治（（株）日立製作所 研究開発グループ 機械イノベーションセンタ），細金　敦（（株）日立製作所 研究開発グループ 機械イノベーションセンタ）

著者名(英語): Takanori Aono (Center for Technology Innovation - Mechanical Engineering, Research & Development Group, Hitachi, Ltd.), Masatoshi Kanamaru (Center for Technology Innovation - Mechanical Engineering, Research & Development Group, Hitachi, Ltd.), Ryuji Kohno (Center for Technology Innovation - Mechanical Engineering, Research & Development Group, Hitachi, Ltd.), Atsushi Hosogane (Center for Technology Innovation - Mechanical Engineering, Research & Development Group, Hitachi, Ltd.)

キーワード: 電解めっき，シリコン，プローブ，回路シミュレーション，非線形抵抗素子　　electroplating，silicon，probe，circuit simulation，non-linear resistance element

要約(英語): To realize an uniformization of wiring thickness on a large size silicon probe, a design of wiring to supply current and electroplating conditions were analytically and experimentally evaluated. Circuit simulations adopted with non-linear resistance elements clarified the distribution of current density on silicon probes. The voltage drop of wiring to supply current on the silicon probe was necessary to be decreased to uniformize the thickness of wirings. Thus, the resistance of wiring to supply current were decreased, and the bypass wirings were set on the silicon probe for decreasing the current distribution. As a result, the thickness of wirings was uniformized in the thick deviation of less than 1 μm on the silicon probe units. The experiments were qualitatively consistent with the circuit simulations.

本誌: 電気学会論文誌E（センサ・マイクロマシン部門誌） Vol.140 No.4 （2020）

本誌掲載ページ: 84-91 p

原稿種別: 論文／日本語

電子版へのリンク: https://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejsmas/140/4/140_84/_article/-char/ja/