良好な絶縁性を有するc軸配向PZT系単結晶薄膜のSi基板上への形成

カテゴリ: 論文誌(論文単位)

グループ名: 【E】センサ・マイクロマシン部門

発行日: 2020/06/01

タイトル(英語): Fabrication of c-Axis-Oriented PZT-Based Monocrystalline Thin Film with High Insulation Property on Si Substrate

著者名: 海老原　凌（東北大学大学院工学研究科ロボティクス専攻田中（秀）研究室），吉田　慎哉（東北大学大学院工学研究科ロボティクス専攻田中（秀）研究室），田中　秀治（東北大学大学院工学研究科ロボティクス専攻田中（秀）研究室）

著者名(英語): Ryo Ebihara (Shuji Tanaka Labs., Department of Robotics, Tohoku University), Shinya Yoshida (Shuji Tanaka Labs., Department of Robotics, Tohoku University), Shuji Tanaka (Shuji Tanaka Labs., Department of Robotics, Tohoku University)

キーワード: チタン酸ジルコン酸鉛（PZT），エピタキシャル成長，スパッタ堆積，絶縁性　　lead zirconate titanate (PZT)，epitaxial growth，sputter deposition，insulation property

要約(英語): This paper reports on an approach to fabricate c-axis-oriented PZT-based monocrystalline thin film with high insulation property on Si. We found that the insulation property of the PZT-based monocrystalline thin film on a buffer layer prepared via pulsed laser deposition (PLD) were relatably low. The particle-shaped debris generated in PLD perhaps led to this worse insulation property. It was also found that the insulation property can be improved by additional PZT deposition via a sol-gel process, while the c-axis orientation was decreased. Eventually, the PZT thin film on a buffer layer prepared via sputter deposition exhibited higher insulation property comparable with those of general PZT thin films. This study successfully gives a great knowledge for obtaining the electrically-reliable PZT-based monocrystalline thin film on Si.

本誌: 電気学会論文誌E（センサ・マイクロマシン部門誌） Vol.140 No.6 （2020）

本誌掲載ページ: 137-143 p

原稿種別: 論文／日本語

電子版へのリンク: https://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejsmas/140/6/140_137/_article/-char/ja/