深紫外LED向けシリコンパッケージング技術の開発

カテゴリ: 論文誌(論文単位)

グループ名: 【E】センサ・マイクロマシン部門

発行日: 2020/07/01

タイトル(英語): Development of Silicon Wafer Packaging Technology for Deep UV LED

著者名: 千葉　広文（スタンレー電気（株）），鈴木　裕輝夫（東北大学大学院工学研究科 田中研究室），安田　嘉昭（スタンレー電気（株）），熊谷　光恭（スタンレー電気（株）），小山　孝明（スタンレー電気（株）），田中　秀治（東北大学大学院工学研究科 田中研究室）

著者名(英語): Hirofumi Chiba (STANLEY ELECTRIC CO., LTD.), Yukio Suzuki (Tanaka-Lab, Graduate School of Engineering, Tohoku University), Yoshiaki Yasuda (STANLEY ELECTRIC CO., LTD.), Mitsuyasu Kumagai (STANLEY ELECTRIC CO., LTD.), Takaaki Koyama (STANLEY ELECTRIC CO., LTD.), Shuji Tanaka (Tanaka-Lab, Graduate School of Engineering, Tohoku University)

キーワード: ウェハレベルパッケージング，深紫外LED，貫通電極（TSV），結晶異方性エッチング，仮接合，気密封止　　wafer-level packaging，deep ultraviolet LED，through-silicon via (TSV)，crystalline anisotropic etching，temporary bonding，hermetic sealing

要約(英語): This paper reports a deep-UV LED package based on silicon MEMS process technology. The package (Si-PKG) consists of a cavity formed by silicon crystalline anisotropic etching, through-silicon vias (TSV) filled with electroplated Cu, bonding metals made of electroplated Ni/AuSn and a quartz lid for hermetic sealing. A deep-UV LED chip is directly mounted in the Si-PKG by AuSn eutectic bonding. It has advantages in terms of heat dissipation, light utilization efficiency, productivity and cost over conventional AlN ceramic packages. We confirmed a light output of 30 mW and effective reflection on Si (111) cavity slopes in the Si-PKG. Further improvement of the optical output is expected.

本誌: 電気学会論文誌E（センサ・マイクロマシン部門誌） Vol.140 No.7 （2020） 特集：第36回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム受賞論文

本誌掲載ページ: 152-157 p

原稿種別: 論文／日本語

電子版へのリンク: https://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejsmas/140/7/140_152/_article/-char/ja/