静的純ねじり試験によるシリコントーションバーの破壊強度向上法の探索

カテゴリ: 論文誌(論文単位)

グループ名: 【E】センサ・マイクロマシン部門

発行日: 2020/10/01

タイトル(英語): Screening of Process Factors for Silicon Torsional Bar by Static Pure Torsion Destructive Test

著者名: 鈴木　裕輝夫（東北大学），大柳　英樹（東北大学），千葉　広文（スタンレー電気（株）），引地　広介（（株）テクノファイン），小島　俊哉（東北大学），金森　義明（東北大学），田中　秀治（東北大学）

著者名(英語): Yukio Suzuki (Tohoku University), Eiki Ohyanagi (Tohoku University), Hirofumi Chiba (STANLEY ELECTRIC CO., LTD.), Kosuke Hikichi (Technofine Co., Ltd.), Toshiya Kojima (Tohoku University), Yoshiaki Kanamori (Tohoku University), Shuji Tanaka (Tohoku University)

キーワード: シリコンねじり破壊試験，トーションバー，ケミカルドライエッチング，H2アニール，スキャニングミラー　silicon torsion fracture test，torsional bar，CDE，H2 anneal，scanning mirror device

要約(英語): Static pure torsion fracture tester for silicon torsional bar was developed. Screening of process factor for silicon torsional bar by static pure torsion destructive test was demonstrated. Planarization of Deep RIE process surface by chemical dry etch (CDE) shows improvement for torsion fracture angle. Reducing surface crystal defect in Deep RIE process surface by hydrogen anneal shows significant improvement in torsion fracture angle.

本誌: 電気学会論文誌E（センサ・マイクロマシン部門誌） Vol.140 No.10 （2020）

本誌掲載ページ: 278-284 p

原稿種別: 論文／日本語

電子版へのリンク: https://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejsmas/140/10/140_278/_article/-char/ja/