走査型プローブ顕微鏡を用いた電圧印加中のSiCプレーナ型パワーMOSFETの観測

カテゴリ: 論文誌(論文単位)

グループ名: 【E】センサ・マイクロマシン部門

発行日: 2021/10/01

タイトル(英語): Observation of Power MOSFET Composed of Silicon Carbide with a Planar Type in the Voltage Applying State Using a Scanning Probe Microscope

著者名: 土井　敦史（千葉工業大学），佐藤　宣夫（千葉工業大学），山本　秀和（千葉工業大学）

著者名(英語): Atsushi Doi (Chiba Institute of Technology), Nobuo Satoh (Chiba Institute of Technology), Hidekazu Yamamoto (Chiba Institute of Technology)

キーワード: 走査型プローブ顕微鏡，パワー半導体デバイス，ワイドバンドギャップ半導体，MOSFET，走査型容量原子間力顕微鏡法 scanning probe microscope，power device，wide gap semiconductor，MOSFET，scanning capacitance force microscopy

要約(英語): We have developed a scanning probe microscope to evaluate the device with high spatial resolution in a power semiconductor device with a voltage applied. Specifically, we observed the cross-sectional structure of exposed SiC planar MOSFET using a multifunctional probe microscope, which combines atomic force microscopy, Kelvin probe force microscopy, and scanning capacitance force microscopy. By observing the channel formation and carrier concentration change in response to the application of voltage, we were able to visualize the internal phenomenon due to the channel formation.

本誌: 電気学会論文誌E（センサ・マイクロマシン部門誌） Vol.141 No.10 （2021）

本誌掲載ページ: 349-355 p

原稿種別: 論文／日本語

電子版へのリンク: https://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejsmas/141/10/141_349/_article/-char/ja/