集積回路内に搭載可能な磁界検出動作0.18μm 8角形多端子MOSFETの研究

カテゴリ: 論文誌(論文単位)

グループ名: 【E】センサ・マイクロマシン部門

発行日: 2021/12/01

タイトル(英語): A 0.18μm Magnetic Detectable Octagonal-MOSFET for Implementable of LSI System

著者名: 及川　康太（山形大学大学院理工学研究科 原田研究室），原田　知親（山形大学大学院理工学研究科 原田研究室）

著者名(英語): Kota Oikawa (Harada Lab, Graduate School of Science and Engineering, Yamagata University), Tomochika Harada (Harada Lab, Graduate School of Science and Engineering, Yamagata University)

キーワード: 磁界センサ，8角形多端子MOSFET，ホール効果　　magnetic field sensor，Octagonal MOSFET，Hall Effect

要約(英語): In this paper, we design and evaluate an Octagonal-MOSFET, whose channel length is 2.42 μm, for parallel sensing and MOSFET operation using a 0.18 μm CMOS process. As the experimental results, the proposed device, whose size is much smaller than previous research using a 2.0 μm CMOS process, can perform as a circuit and magnetic field detection sensor. Thus, the proposed Octagonal-MOSFET can realize both circuit and sensor operations.

本誌: 電気学会論文誌E（センサ・マイクロマシン部門誌） Vol.141 No.12 （2021）

本誌掲載ページ: 388-393 p

原稿種別: 論文／日本語

電子版へのリンク: https://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejsmas/141/12/141_388/_article/-char/ja/