シリコンの限界を超えるスーパー時間分解イメージセンサを目指して

カテゴリ: 論文誌(論文単位)

グループ名: 【E】センサ・マイクロマシン部門

発行日: 2022/06/01

タイトル(英語): Toward the Super Temporal Resolution―Beyond the Theoretical Resolution Limit of Silicon Image Sensors―

著者名: 江藤　剛治（立命館大学理工学部／大阪大学大学院工学研究科），安藤　妙子（立命館大学理工学部），下ノ村　和弘（立命館大学理工学部），渡部　平司（大阪大学大学院工学研究科），志村　考功（大阪大学大学院工学研究科）

著者名(英語): Takeharu Goji Etoh (College of Science and Engineering, Ritsumeikan University/Graduate School of Engineering, Osaka University), Taeko Ando (College of Science and Engineering, Ritsumeikan University), Kazuhiro Shimonomura (College of Science and Engineering, Ritsumeikan University), Heiji Watanabe (Graduate School of Engineering, Osaka University), Takayoshi Shimura (Graduate School of Engineering, Osaka University)

キーワード: イメージセンサ，裏面照射，ブランチング，高速，ゲルマニウム，レジスティブゲート　　image sensor，backside-illuminated，branching，high-speed，germanium，resistive gate

要約(英語): The temporal resolution limit of silicon image sensors is 11.1 ps. The super-temporal resolution (STR) is defined as the resolution shorter than the limit, since common image sensors for visible light are made with silicon semiconductors. To achieve the STR, a backside-illuminated branching image sensor with a germanium photodiode and a center resistive gate is proposed, and the pros and cons are analyzed. It is verified that the proposed sensor structure can achieve the temporal resolution of 100 ps with an existing 120-nm process technology. A finer process will realize the STR in the near future.

本誌: 電気学会論文誌E（センサ・マイクロマシン部門誌） Vol.142 No.6 （2022）

本誌掲載ページ: 97-103 p

原稿種別: 解説／日本語

電子版へのリンク: https://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejsmas/142/6/142_97/_article/-char/ja/