単層フォトレジストによる1 μm線幅リフトオフプロセスの評価

カテゴリ: 論文誌(論文単位)

グループ名: 【E】センサ・マイクロマシン部門

発行日: 2023/07/01

タイトル(英語): Lift-off Patterning of 1 μm Line Width using Single Layer Photoresist

著者名: 佐々木　寛充（東北大学マイクロシステム融合研究開発センター），森山　雅昭（東北大学マイクロシステム融合研究開発センター），戸津　健太郎（東北大学マイクロシステム融合研究開発センター）

著者名(英語): Hiromitsu Sasaki (Micro System Integration Center, Tohoku University), Masaaki Moriyama (Micro System Integration Center, Tohoku University), Kentaro Totsu (Micro System Integration Center, Tohoku University)

キーワード: リフトオフ，フォトリソグラフィ，単層リフトオフレジスト，アンダーカット，テーパー　　lift-off，photolithography，single layer lift-off photoresist，undercut，taper

要約(英語): This paper describes lift-off process for 1 μm fine pattern using single layer lift-off photoresist. For the lift-off process, tapered structure or undercut structure of single layer photoresist was achieved by selecting appropriate photoresist and adjusting exposure dose and development time of photolithography. Then we deposited 0.3 μm-thick aluminum by electron beam evaporator. In order to make aluminum particles reach the patterned substrate perpendicularly, we used the fixed stage instead of the planetary rotating stage. As the result, we successfully fabricated 1 μm 1:1 line and space, 0.3 μm-thick Al pattern using single layer photoresist.

本誌: 電気学会論文誌E（センサ・マイクロマシン部門誌） Vol.143 No.7 （2023） 特集：第39回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム受賞論文

本誌掲載ページ: 204-210 p

原稿種別: 論文／日本語

電子版へのリンク: https://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejsmas/143/7/143_204/_article/-char/ja/