0.18 μm多端子MOSFET型センサのプローブ位置と温度に対する磁界特性評価

カテゴリ: 論文誌(論文単位)

グループ名: 【E】センサ・マイクロマシン部門

発行日: 2023/09/01

タイトル(英語): An Evaluation of the Magnetic Field Characteristics for the Probe Position and Temperature using the Multi-Output MOSFET Sensor by 0.18 μm CMOS Process

著者名: 鈴木　慎弥（山形大学大学院理工学研究科），原田　知親（山形大学大学院理工学研究科）

著者名(英語): Shinya Suzuki (Graduate School of Science and Engineering, Yamagata University), Tomochika Harada (Graduate School of Science and Engineering, Yamagata University)

キーワード: 多端子MOSFET，磁界センサ，ホール効果，磁界感度，温度変化　　multi-output MOSFET，magnetic field sensor，hall effect，magnetic field sensitivity，temperature change

要約(英語): In this paper, we evaluate the operation of the magnetic field detection for each probe position using a Multi-output MOSFET sensor by the 0.18 μm CMOS process. This proposed device has Gate, Source, Drain, and 8-output terminals. To the experimental results, this device indicates magnetic field sensitivity depending on probe position, as in previous research, using 0.18 μm Octagonal-MOSFET. Also, we realize the cause of the change in magnetic field characteristics due to temperature change.

本誌: 電気学会論文誌E（センサ・マイクロマシン部門誌） Vol.143 No.9 （2023） 特集：ライフサイエンス応用のためのマイクロセンサ，センサシステムと要素技術

本誌掲載ページ: 300-305 p

原稿種別: 論文／日本語

電子版へのリンク: https://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejsmas/143/9/143_300/_article/-char/ja/