HTS薄膜内遮蔽電流密度解析の高速化

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: SA15019

グループ名: 【B】電力・エネルギー部門 静止器研究会

発行日: 2015/03/05

タイトル(英語): Acceleration for Shielding Current Density Analysis in HTS Thin Film

著者名: 高山 彰優(山形大学),神谷 淳(山形大学)

著者名(英語): Teruou Takayama(Yamagata University),Atsushi Kamitani(Yamagata University)

キーワード: 高温超伝導体|臨界電流密度|クラック|数値シミュレーション|有限要素法|連立常微分方程式|high-temperature superconductor|critical current density|crack|numerical simulation|finite element method|simultaneous ordinary differential equations

要約(日本語): 従来の研究では，クラックを含む高温超伝導薄膜内の遮蔽電流密度解析を行うことによって，臨界電流密度jCの非接触測定法によるクラック検出可能性を調べた．同解析では，空間と時間の離散化に有限要素法と後退Euler法を採用した．しかしながら，後退Euler法は求解に多大な演算量を要するため，大規模問題の解法には不向きである．本研究の目的は，上記解析の高速化手法を提案し，同法の性能を調べることである．

要約(英語): In the previous study, detectability of contactless methods for measuring a critical current density in an HTS film has been investigated by analyzing a shielding current density in the film. Although the Backward Euler method is adopted to discretize the time, it requires extensive CPU-time. To resolve this problem, we propose a high-speed method.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 3,694 Kバイト