Si-MOSFET/SiC-SBDペアによる高パワー密度電力変換器のための素子限界損失解析法

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: SPC05071

グループ名: 【D】産業応用部門　半導体電力変換研究会

発行日: 2005/10/27

タイトル(英語): Power Loss Limit Analysis Method for High Output-Power-Density Converters by a pair of Si-MOSFET with SiC-SBD

著者名: 色川 泰史(東京工業大学),高尾 和人(産業技術総合研究所),Kyungmin Sung(東京工業大学),安達 和広(産業技術総合研究所),大橋 弘通(産業技術総合研究所)

著者名(英語): Hirofumi Irokawa(Tokyo Institute of Technology),Kazuto Takao(AIST),Kyungmin Sung(Tokyo Institute of Technology),Kazuhiro Adachi(AIST),Hiromichi Ohashi(AIST)

キーワード: SiC-SBD|高パワー密度変換器|素子損失|寄生パラメータ|SiC-SBD|High output power density converter|Devise power loss|Parasitic parameter

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 493 Kバイト