SiC-PiNダイオードとSi-IEGTの組合せにおける損失解析方法

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: SPC05072

グループ名: 【D】産業応用部門　半導体電力変換研究会

発行日: 2005/10/27

タイトル(英語): An Analysis Method of Device losses in Combination of SiC-PiN Diode and Si-IEGT

著者名: 鈴木 一馬(東京工業大学),Kyungmin Sung(東京工業大学),田中 保宣(産業技術総合研究所),大橋 弘通(産業技術総合研究所)

著者名(英語): Kazuma Suzuki(Tokyo Institute of Technology),Kyungmin Sung(Tokyo Institute of Technology),Yasunori Tanaka(AIST),Hiromichi Ohashi(AIST)

キーワード: SiC-PiNダイオード|Si-IEGT|素子損失|SiC-PiN diode|Si-IEGT|device loss

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 487 Kバイト