Moを用いた高耐電圧・低損失4H-SiCショットキーバリアダイオード

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: SPC05073

グループ名: 【D】産業応用部門　半導体電力変換研究会

発行日: 2005/10/27

タイトル(英語): High-voltage and low-loss 4H-SiC Schottky barrier diode using Mo

著者名: 中村 智宣(電力中央研究所),三柳 俊之(電力中央研究所),鎌田 功穂(電力中央研究所),土田 秀一(電力中央研究所)

著者名(英語): Tomonori Nakamura(Central Research Institute of Electric Power Industry (CRIEPI)),Toshiyuki Miyanagi(Central Research Institute of Electric Power Industry (CRIEPI)),Isaho Kamata(Central Research Institute of Electric Power Industry (CRIEPI)),Hidekazu Tsuchida(Central Research Institute of Electric Power Industry (CRIEPI))

キーワード: 高耐電圧|低損失|Mo電極|ショットキーバリアダイオード|High-voltage|low-loss|Mo contact|Schottky barrier diode

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 461 Kバイト