ゲート絶縁膜としてSiO2膜を使ったMIS-AlGaN/GaN HEMTの研究

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: SPC05076

グループ名: 【D】産業応用部門　半導体電力変換研究会

発行日: 2005/10/27

タイトル(英語): A Study of MIS-AlGaN/GaN HEMTs with SiO2 Films as Gate Insulator

著者名: 杉本 雅裕(トヨタ自動車),樹神雅人 (豊田中央研究所),副島 成雅(豊田中央研究所),林 栄子(豊田中央研究所),上杉 勉(豊田中央研究所),加地徹 (豊田中央研究所)

著者名(英語): Masahiro Sugimoto(TOYOTA MOTOR CORP.),Masahito Kodama(TOYOTA CENTRAL R&D LABS.,INC),Narumasa Soejima(TOYOTA CENTRAL R&D LABS.,INC),Eiko Hayashi(TOYOTA CENTRAL R&D LABS.,INC),Tsutomu Uesugi(TOYOTA CENTRAL R&D LABS.,INC),Tetsu Kachi(TOYOTA CENTRAL R&D LABS.,INC)

キーワード: ゲート絶縁膜|AlGaN/GaN|ヘテロ構造|HEMT|パワーデバイス|Gate insulator|SiO2|AlGaN/GaN|hetero structure|HEMT|power device

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,103 Kバイト