CMOSプロセスにおける5V系パワーデバイスのホットキャリア耐量の改善

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: SPC05077

グループ名: 【D】産業応用部門　半導体電力変換研究会

発行日: 2005/10/27

タイトル(英語): Optimization of 5V power devices based on CMOS for hot-carrier degradation

著者名: 中村 和敏(東芝),仲 敏行(東芝),松下 憲一(東芝),末代 知子(東芝),安原 紀夫(東芝),遠藤幸一 (東芝),鈴木 史人(東芝),中川 明夫(東芝)

著者名(英語): Kazutoshi Nakamura(Toshiba Corporation),Toshiyuki Naka(Toshiba Corporation),Kenichi Matsushita(Toshiba Corporation),Tomoko Matsudai(Toshiba Corporation),Norio Yasuhara(Toshiba Corporation),Koichi Endo(Toshiba Corporation),Fumito Suzuki(Toshiba Corporation),Akio Nakagawa(Toshiba Corporation)

キーワード: CMOS|パワーIC|ホットキャリア|CMOS|Power IC|Hot carrier

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 588 Kバイト