フローティングアイランドと厚い酸化膜をトレンチ底部に備えた超低抵抗トレンチゲートMOSFET（FITMOS）-優れた内蔵ダイオードを有する60V耐圧超低抵抗MOSFET-

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: SPC05081

グループ名: 【D】産業応用部門　半導体電力変換研究会

発行日: 2005/10/28

タイトル(英語): Floating Island and Thick Bottom Oxide Trench Gate MOSFET (FITMOS) -A 60V Ultra Low On-Resistance Novel MOSFET with Superior internal Body Diode-

著者名: 高谷 秀史(トヨタ自動車),宮城 恭輔(トヨタ自動車),濱田 公守(トヨタ自動車),大倉康嗣 (デンソー),戸倉 規仁(デンソー),黒柳 晃(デンソー)

著者名(英語): Hidefumi Takaya(Toyota Motor Corporation),Kyosuke Miyagi(Toyota Motor Corporation),Kimimori Hamada(Toyota Motor Corporation),Yasushi Okura(DENSO CORPORATION),Norihito Tokura(DENSO CORPORATION),Akira Kuroyanagi(DENSO CORPORATION)

キーワード: MOSFET|フローティングアイランド|オン抵抗|内蔵ダイオード|セルフアライメント|MOSFET|floating island|on-resistance|internal body diode|self-alignment

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 663 Kバイト