深いトレンチエッチングとエピタキシャル成長により作製した耐圧500V以上のSJ-MOSFET

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: SPC05082

グループ名: 【D】産業応用部門　半導体電力変換研究会

発行日: 2005/10/28

タイトル(英語): Above 500V class Superjunction MOSFETs fabricated by deep trench etching and epitaxial growth

著者名: 高橋 孝太(富士電機アドバンストテクノロジー),岩本 進(富士電機アドバンストテクノロジー),栗林 均(富士電機アドバンストテクノロジー),脇本 節子(富士電機アドバンストテクノロジー),望月邦雄 (富士電機アドバンストテクノロジー),中澤 治雄(富士電機アドバンストテクノロジー)

著者名(英語): K. Takahashi(Fuji Electric Advanced Technorogy Co.,Ltd.),S. Iwamoto(Fuji Electric Advanced Technorogy Co.,Ltd.),H. Kuribayashi(Fuji Electric Advanced Technorogy Co.,Ltd.),S. Wakimoto(Fuji Electric Advanced Technorogy Co.,Ltd.),K. Mochizuki(Fuji Electric Advanced Technorogy Co.,Ltd.),H. Nakazawa(Fuji Electric Advanced Technorogy Co.,Ltd.)

キーワード: 超接合|トレンチ|埋込|トレードオフ|シリコンリミット|Super Junction|SJ|trench|filling|trade-off|Si-Limit

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 804 Kバイト