高耐圧（>1000V）SemiSuperjunctionMOSFET

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: SPC05083

グループ名: 【D】産業応用部門　半導体電力変換研究会

発行日: 2005/10/28

タイトル(英語): High Breakdown Voltage (>1000V) SemiSuperjunction MOSFET

著者名: 齋藤 渉(東芝),大村一郎 (東芝),相田 聡(東芝),上月 繁雄(東芝),泉沢 優(東芝),吉岡 裕典(東芝),小倉 常雄(東芝)

著者名(英語): Wataru Saito(Toshiba),Ichiro Omura(Toshiba),Satoshi Aida(Toshiba),Shigeo Koduki(Toshiba),Masaru Izumisawa(Toshiba),Hironori Yoshioka(Toshiba),Tsuneo Ogura(Toshiba)

キーワード: パワーMOSFET|スーパージャンクション|低オン抵抗|Power-MOSFET|Superjunction|Low on-resistance

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 510 Kバイト