受動ゲートによるL-IGBTの高速化

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: SPC05087

グループ名: 【D】産業応用部門　半導体電力変換研究会

発行日: 2005/10/28

タイトル(英語): High Speed Lateral-IGBT with A Passive Gate

著者名: 寺島 知秀(三菱電機),守谷純一 (三菱電機)

著者名(英語): Tomohide Terashima(Mitsubishi Electric Corporation),Junichi Moritani(Mitsubishi Electric Corporation)

キーワード: 横型IGBT|第二ゲート|ホール注入|Lateral-IGBT|second gate|hole injection

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 806 Kバイト