外部キャパシタンスによるIGBTのターンオン特性改善

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: SPC05090

グループ名: 【D】産業応用部門　半導体電力変換研究会

発行日: 2005/10/28

タイトル(英語): Great Improvement in Turn-On Power Dissipation of IGBTs with an Extra Gate Charging Function

著者名: 小野澤勇一 (富士日立パワーセミコンダクタ),大月正人 (富士日立パワーセミコンダクタ),関 康和(富士日立パワーセミコンダクタ)

著者名(英語): Yuichi Onozawa(Fuji Hitachi Power Semiconductor Co.,Ltd.),Masahito Otsuki(Fuji Hitachi Power Semiconductor Co.,Ltd.),Yasukazu Seki(Fuji Hitachi Power Semiconductor Co.,Ltd.)

キーワード: 外部キャパシタンス|ミラー容量|ターンオンdI/dt|Extra capacitance|Miller capacitance|Turn-on dI/dt

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 435 Kバイト