ダイレクトリードボンディング型MOSFET/CSTBTの開発

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: SPC05091

グループ名: 【D】産業応用部門　半導体電力変換研究会

発行日: 2005/10/28

タイトル(英語): Direct Beam Lead Bonding for Trench MOSFET & CSTBT

著者名: 楢崎 敦司(三菱電機),緒方 健一(三菱電機),高橋 英樹(三菱電機),白澤 敬昭(三菱電機),高山 剛(三菱電機),須藤進吾 (三菱電機),平川 聡(三菱電機),湊 忠玄(三菱電機),浅野 徳久(福菱セミコンエンジニアリング)

著者名(英語): Atsushi Narazaki(Mitsubishi Electric Corporation),Kenichi Ogata(Mitsubishi Electric Corporation),Hideki Takahashi(Mitsubishi Electric Corporation),Takaaki Shirasawa(Mitsubishi Electric Corporation),Tsuyoshi Takayama(Mitsubishi Electric Corporation),Shingo Sudo(Mitsubishi Electric Corporation),Satoshi Hirakawa(Mitsubishi Electric Corporation),Tadaharu Minato(Mitsubishi Electric Corporation),Norihisa Asano(Fukuryo Semicon Engineering)

キーワード: ダイレクトリードボンディング|ワイヤボンディング|MOSFET|CSTBT|Direct lead bonding|Wire bonding|MOSFET|CSTBT

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 685 Kバイト