フローティングP構造低耐圧Trench MOSFETのシミュレーションによるスイッチング特性解析

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: SPC06119

グループ名: 【D】産業応用部門　半導体電力変換研究会

発行日: 2006/10/24

タイトル(英語): Numerical switching characteristics analysis of low voltage Trench MOSFET with floating-P layer

著者名: 秋山 誠和子(東芝セミコンダクター社),川口 雄介(東芝セミコンダクター社),小野 昇太郎(東芝セミコンダクター社),山口 好広(東芝セミコンダクター社),中川 明夫(東芝セミコンダクター社)

著者名(英語): Miwako Akiyama(Toshiba Corporation Semiconductor Company),Yusuke Kawaguchi(Toshiba Corporation Semiconductor Company),Syotaro Ono(Toshiba Corporation Semiconductor Company),Yoshihiro Yamaguchi(Toshiba Corporation Semiconductor Company),Akio Nakagawa(Toshiba Corporation Semiconductor Company)

キーワード: MOSFET|低耐圧|低オン抵抗|スイッチング特性|MOSFET|Low-voltage|Low on-resistance|Switching characteristic

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 684 Kバイト