20V級低ゲートチャージトレンチラテラルMOS

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: SPC06120

グループ名: 【D】産業応用部門　半導体電力変換研究会

発行日: 2006/10/24

タイトル(英語): Gate Charge 20V Class Trench-aligning Lateral Power MOSFET

著者名: 松永 慎一郎(富士電機アドバンストテクノロジー),澤田 睦美(富士電機アドバンストテクノロジー),藤島 直人(富士電機アドバンストテクノロジー)

著者名(英語): S. Matsunaga(Fuji Electric Advanced Technology,Ltd.),M. Sawada(Fuji Electric Advanced Technology,Ltd.),N. Fujishima(Fuji Electric Advanced Technology,Ltd.)

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 737 Kバイト