1200V LPT-CSTBTTM開発

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: SPC06123

グループ名: 【D】産業応用部門　半導体電力変換研究会

発行日: 2006/10/24

タイトル(英語): Development of the 1200V Light Punch-Through (LPT)-CSTBTTM

著者名: 愛甲 光徳(三菱電機),中村 勝光(三菱電機),久本 好明(三菱電機),松村 民雄(三菱電機),友松 佳史(三菱電機)

著者名(英語): Mitsunori Aiko(Mitsubishi Electric Corporation),Katsumi Nakamura(Mitsubishi Electric Corporation),Yoshiaki Hisamoto(Mitsubishi Electric Corporation),Tamio Matsumura(Mitsubishi Electric Corporation),Yoshihumi Tomomatsu(Mitsubishi Electric Corporation)

キーワード: トレンチIGBT|キャリア蓄積層|CSTBT|Wide Cell Pitch|NPT|LPT|Wide Cell Pitch LPT-CSTBT|trench IGBT|carrier stored layer|CSTBT|Wide Cell Pitch|NPT|LPT|Wide Cell Pitch LPT-CSTBT

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 628 Kバイト