高耐圧-逆阻止IGBT向けの新分離層形成プロセス

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: SPC06124

グループ名: 【D】産業応用部門　半導体電力変換研究会

発行日: 2006/10/24

タイトル(英語): A New Isolation Technique for High Breakdown Voltage Reverse Blocking IGBT

著者名: 下山 和男(富士電機アドバンストテクノロジー),武井 学(富士電機アドバンストテクノロジー),中澤 治雄(富士電機アドバンストテクノロジー)

著者名(英語): Kazuo Shimoyama(Fuji Electric Advanced Technology Co.,Ltd.),Manabu Takei(Fuji Electric Advanced Technology Co.,Ltd.),Haruo Nakazawa(Fuji Electric Advanced Technology Co.,Ltd.)

キーワード: マトリックスコンバーター|双方向スイッチ|逆阻止IGBT|分離層プロセス|トレンチ側壁|ドーパント活性化|matrix converter|bi-directional switch|RB-IGBT|isolation layer|trench sidewall|dopant activation

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 976 Kバイト