IGBTとMOSFETのシリコン限界特性とその実現に向けた考察

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: SPC06133

グループ名: 【D】産業応用部門　半導体電力変換研究会

発行日: 2006/10/24

タイトル(英語): Evolution of Silicon Power Devices and Challenges to Material Limit [14]

著者名: 中川 明夫(東芝セミコンダクター社)

著者名(英語): Akio Nakagawa()

キーワード: IGBT|MOSFET|MCM|DrMOS|負荷短絡|シリコン限界|FOM|新しいFOM|IGBT|MOSFET|CoolMOS|DrMOS|Short-circuit SOA|Silicon limit|FOM|New FOM

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 750 Kバイト