埋込ゲート型SiC-SIT(BGSIT)の設計・試作及び電気特性評価

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: SPC06135

グループ名: 【D】産業応用部門　半導体電力変換研究会

発行日: 2006/10/24

タイトル(英語): Design and Fabrication of Buried Gate type SiC-SIT(BGSIT)

著者名: 田中 保宣(産業技術総合研究所),高塚 章夫(産業技術総合研究所),岡本 光央(産業技術総合研究所),荒井 和雄(産業技術総合研究所),八尾 勉(産業技術総合研究所),矢野 浩司(山梨大学)

著者名(英語): Yasunori Tanaka(AIST),Akio Takatsuka(AIST),Mitsuo Okamoto(AIST),Kazuo Arai(AIST),Tsutomu Yatsuo(AIST),Koji Yano(Yamanashi University)

キーワード: 炭化珪素|埋込ゲート|静電誘導型トランジスタ|接合型トランジスタ|耐圧|特性オン抵抗|Silicon carbide|buried gate|static induction transistor|junction transistor|breakdown voltage|specific on resistance

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 666 Kバイト