PVSQ膜を用いたSODI構造による誘電体分離型HVICの開発

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: SPC06140

グループ名: 【D】産業応用部門　半導体電力変換研究会

発行日: 2006/10/25

タイトル(英語): Improved dielectric isolation HVIC technology (SODI) by using PVSQ layer

著者名: 秋山 肇(三菱電機),保田 直紀(三菱電機),山本 晃央(三菱電機),守谷純一 (三菱電機),高梨 健(三菱電機),マジュームダール・ゴーラブ (三菱電機)

著者名(英語): H. Akiyama(Mitsubishi Electric Corporation),N. Yasuda(Mitsubishi Electric Corporation),A. Yamamoto(Mitsubishi Electric Corporation),J. Moritani(Mitsubishi Electric Corporation),K. Takanashi(Mitsubishi Electric Corporation),G. Majumdar(Mitsubishi Electric Corporation)

キーワード: SOI|SODI|PVSQ|HVIC|High breakdown voltage|DIP-IPM|Transfer mold package|SOI|SODI|PVSQ|HVIC|High breakdown voltage|DIP-IPM|Transfer mold package

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 705 Kバイト