キャリア移動度変調による超接合の低オン抵抗化

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: SPC06143

グループ名: 【D】産業応用部門　半導体電力変換研究会

発行日: 2006/10/25

タイトル(英語): Reduction of On-Resistance in Superjunction by Using the Carrier Mobility Modulation

著者名: 岸本 大輔(オン・セミコンダクター・テクノロジー),青木 正明(オン・セミコンダクター・テクノロジー)

著者名(英語): Daisuke Kishimoto(On Semiconductor Technology Japan Ltd.),Masaaki Aoki(On Semiconductor Technology Japan Ltd.)

キーワード: パワーMOSFET|超接合|オン抵抗|移動度|変調|超格子|シミュレーション|Power-MOSFET|Superjunction|on-resistance|mobility|modulation|Superlattice|simulation

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 646 Kバイト