トレンチ埋込エピタキシャル成長を用いた200V系スーパージャンクションMOSFET

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: SPC06144

グループ名: 【D】産業応用部門　半導体電力変換研究会

発行日: 2006/10/25

タイトル(英語): 200V Super Junction MOSFET Fabricated by Trench Filling Epitaxial Si Growth

著者名: 柴田 巧(デンソー),山内 庄一(デンソー),山口 仁(デンソー),野上 彰二(SUMCO),山岡 智則(SUMCO),服部 佳晋(豊田中央研究所)

著者名(英語): Takumi Shibata(DENSO CORPORATION),Shoichi Yamauchi(DENSO CORPORATION),Hitoshi Yamaguchi(DENSO CORPORATION),Shoji Nogami(SUMCO CORPORATION),Tomonori Yamaoka(SUMCO CORPORATION),Yoshiyuki Hattori(TOYOTA CENTRAL R&D LABS.,INC.)

キーワード: パワーMOSFET|スーパージャンクション|トレンチ埋込エピタキシャル成長|power MOSFET|super junction|trench filling epitaxial Si growth

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 991 Kバイト