A Discussion on the High Level Excess Carrier Lifetime Effect of IGBT Model

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: SPC07099

グループ名: 【D】産業応用部門　半導体電力変換研究会

発行日: 2007/10/25

タイトル(英語): A Discussion on the High Level Excess Carrier Lifetime Effect of IGBT Model

著者名: Nathabhat Phankong(Kyoto Univ.),Tsuyoshi Funaki(Kyoto Univ.),Takashi Hikihara(Kyoto Univ.)

著者名(英語): Nathabhat Phankong(Kyoto Univ.),Tsuyoshi Funaki(Kyoto Univ.),Takashi Hikihara(Kyoto Univ.)

キーワード: Hefner model|IGBT model|Parameter extraction|Lifetime|Hefner model|IGBT model|Parameter extraction|Lifetime

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 536 Kバイト