AC動作時のオン抵抗,耐圧とオン抵抗のトレードオフを改善したフローティングP型パワーMOSFET（FITMOS）の開発

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: SPC07100

グループ名: 【D】産業応用部門　半導体電力変換研究会

発行日: 2007/10/25

タイトル(英語): Advanced Floating Island and Thick Bottom Oxide Trench Gate MOSFET (FITMOS) with reduced RonA during AC operation by passive hole gate and improved BVdss RonA trade-off by elliptical floating island

著者名: 高谷 秀史(トヨタ自動車),宮城 恭輔(トヨタ自動車),濱田 公守(トヨタ自動車)

著者名(英語): Hidefumi Takaya(Toyota Motor Corporation),Kyosuke Miyagi(Toyota Motor Corporation),Kimimori Hamada(Toyota Motor Corporation)

キーワード: パワーMOSFET|フローティングアイランド|オン抵抗|パッシブホールゲート|AC動作|長円形|MOSFET|floating island|on-resistance|passive hole gate|AC operation|elliptical form

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 872 Kバイト