次世代1200VトレンチFS-IGBTの開発

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: SPC07106

グループ名: 【D】産業応用部門　半導体電力変換研究会

発行日: 2007/10/25

タイトル(英語): Development of the next generation 1200V trench-gate FS-IGBT

著者名: 仲野 逸人(富士電機デバイステクノロジー),小野澤勇一 (富士電機デバイステクノロジー),大月正人 (富士電機デバイステクノロジー),井川 修(富士電機デバイステクノロジー)

著者名(英語): Hayato Nakano(Fuji Electric Device Technology Co.,Ltd.),Yuichi Onozawa(Fuji Electric Device Technology Co.,Ltd.),Masahito Otsuki(Fuji Electric Device Technology Co.,Ltd.),Osamu Ikawa(Fuji Electric Device Technology Co.,Ltd.)

キーワード: フローティングpベース層|ターンオンdi/dt制御|逆回復dv/dt|ターンオフ振動|EMIノイズ|Floating p-base layer|Turn-on di/dt control|Reverse recovery dv/dt|Turn-off oscillation|EMI noise

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 484 Kバイト