He照射を用いたPiNダイオードのダイナミックアバランシェ現象とCiOi欠陥の相関

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: SPC08133

グループ名: 【D】産業応用部門　半導体電力変換研究会

発行日: 2008/10/23

タイトル(英語): A Study of Correlation between CiOi Defects and Dynamic Avalanche Phenomenon of PiN Diode Using He ion Irradiation

著者名: 丹羽 史和(トヨタ自動車),三角 忠司(トヨタ自動車),山崎信也 (トヨタ自動車),杉山隆英 (豊田中央研究所),金田哲弥 (トヨタ自動車),西脇克彦 (トヨタ自動車)

著者名(英語): Fumikazu Niwa(Toyota Motor Corporation),Tadashi Misumi(Toyota Motor Corporation),Shinya Yamasazaki(Toyota Motor Corporation),Tetsuya Kanata(Toyota Motor Corporation),Katsuhiko Nishiwaki(Toyota Motor Corporation),Takahide Sugiyama(Toyota Central R&D Labs.,Inc.)

キーワード: ハイブリッド自動車|PiNダイオード|Heイオン照射|ダイナミックアバランシェ現象|CiOi欠陥|Hybrid Electric Vehicle|PiN diode|He ion irradiation|Dynamic avalanche phenomenon|CiOi defects

要約(日本語): ライフタイム制御を用いたPiNダイオードでは、低温・高電圧条件下においてダイナミックアバランシェ現象が発生することが知られている。本現象が発生するとスイッチング損失の増加及び電圧・電流波形に発振が生じる。　我々はDLTS法を用いてダイナミックアバランシェ現象がEv+0.35eVに誘起する正孔トラップ準位と関連があることを確認した。また、その正孔トラップ準位を形成する欠陥がシリコンウェーハ中に存在するCiOiであることをCL法を用いて明らかにした。　シリコンウェーハ中のCiOi量を制御することで、我々はダイ

要約(英語): Our research has shown that dynamic avalanche phenomenon is related to the hole trap level that is induced at an energy level of Ev+0.35eV. In this study we will describe how we used the DLTS (Deep Level Transient Spectroscopy) method and CL (Cathodo Lum

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 538 Kバイト