IGBT動作とバイポーラトランジスタ動作の基本的な違い-ここ12年のIGBT動作モデルの進歩-

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: SPC08136

グループ名: 【D】産業応用部門　半導体電力変換研究会

発行日: 2008/10/23

タイトル(英語): Fundamental Difference between IGBT Operation and Bipolar Junction Transistor Operation

著者名: 高田 育紀(三菱電機)

著者名(英語): Ikunori Takata(Mitsubishi Electric Corporation)

キーワード: IGBT|動作モデル|pinダイオード|接合形バイポーラトランジスタ|ゲート転流サイリスタ|IGBT|operating model|pin diode|Bipolar Junction Transistor|Gate Commutated Thyristor

要約(日本語): まず、著者が1996年に行ったIGBTのレビューの後12年間のバイポーラ電力用デバイスの進化を概説す。続いて、バイポーラトランジスタ, GCTやIGBT等の高電圧大電流動作の限界に関する今までの文献を詳細に比較することで、IGBT動作がpnpトランジスタ動作から著しくかけ離れ、むしろpinダイオード動作に似ていることを示す。例えば、IGBTのn-層は、古典的バイポーラトランジスタに求められるものよりも遥かに長い。また、バイポーラトランジスタでは一つのキャリアがベース領域を拡散で動くのに対し、IGBTはpi

要約(英語): (Sending via e-mail)

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 971 Kバイト