EMIノイズとスイッチング損失を考慮したIGBTの限界設計

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: SPC08139

グループ名: 【D】産業応用部門　半導体電力変換研究会

発行日: 2008/10/23

タイトル(英語): Critical IGBT Design Regarding EMI and Switching Losses

著者名: 附田 正則(東芝),大村一郎 (東芝,現九州工業大学),現九州工業大学 (東芝),崎山 陽子(東芝),山口 正一(東芝),松下 憲一(東芝),小倉 常雄(東芝)

著者名(英語): Masanori Tsukuda(Toshiba),Ichiro Omura(Toshiba,Present affiliation Kyushu Institute of Technology),Present affiliation Kyushu Institute of Technology (Toshiba),Yoko Sakiyama(Toshiba),Masakazu Yamaguchi(Toshiba),Ken'ichi Matsushita(Toshiba),Tsuneo Ogura(Toshiba)

キーワード: IGBT|EMI|スイッチング損失|Nベース|ダイナミックパンチスルー|ダイナミックアバランシェ|IGBT|EMI|switching loss|N-base|dynamic punch-through|dynamic avalanche

要約(日本語): IGBTの課題であるEMI（波形振動）とスイッチング損失の増加について解析モデルから発生条件を分析した。電流-電圧Locusを用いることで、EMIとスイッチング損失の課題を同時に解決するNベース設計が可能である。この手法によりNベース設計の最適化が可能になったが、同時に最適化限界も明らかになった。今後のIGBT開発はNベース内に埋め込み層を設けるなど新構造を用いる必要がある。

要約(英語): Critical N-base layer design in IGBT is discussed regarding Electro-Magnetic Interference (EMI) and switching losses during turn-off. The newly proposed criteria for oscillation and avalanche induced loss were given by a simple equation model and the vali

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 648 Kバイト