ハイブリッドIGBTのセンス素子開発

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: SPC08140

グループ名: 【D】産業応用部門　半導体電力変換研究会

発行日: 2008/10/23

タイトル(英語): Sense Device Structure in Hybrid IGBT with Constant Current Sense Ratio for Entire Collector Current Range

著者名: 山際 優人(松下電器産業),佐治 隆司(松下電器産業),金子 佐一郎(松下電器産業),八谷 佳明(松下電器産業)

著者名(英語): Hiroto Yamagiwa(Matsushita Electric Industrial Company),Takashi Saji(Matsushita Electric Industrial Company),Saichirou Kaneko(Matsushita Electric Industrial Company),Yoshiaki Hachiya(Matsushita Electric Industrial Company)

キーワード: 横型IGBT|センス素子|パワーIC|L-IGBT|Sense device|Power IC

要約(日本語): ハイブリッドIGBTの幅広いコレクタ電流領域に対してセンス比が一定となるセンス素子を提案する。ハイブリッドIGBTは、待機～重負荷(～100W)の全負荷領域に亘って損失を低減したスイッチング電源の実現を可能にするスイッチング素子であり、コレクタ電流が小さいときにはMOS動作し、コレクタ電流が大きくなるとIGBT動作する。ハイブリッドIGBTのセンス素子の位置や注入幅を最適化することで、MOS動作からIGBT動作に亘った幅広いコレクタ電流範囲でセンス比を一定とした。ハイブリッドIGBTに上記のセンス素子を用

要約(英語): A new sense device structure is proposed for hybrid IGBTs in which current sense ratio (CSR) is constant for a wide range of collector currents. Although hybrid IGBTs have 2 different operation modes: MOS operation mode and IGBT operation mode, the new s

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 817 Kバイト