第2世代分割RESURF構造を適用したゲートドライバーIC

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: SPC08148

グループ名: 【D】産業応用部門　半導体電力変換研究会

発行日: 2008/10/24

タイトル(英語): The 2nd Generation divided RESURF structure for High Voltage ICs

著者名: 清水 和宏(三菱電機),寺島 知秀(三菱電機)

著者名(英語): Kazuhiro Shimizu(Mitsubishi Electric Corporation),Tomohide Terashima(Mitsubishi Electric Corporation)

キーワード: 高耐圧IC| リサーフ|ゲートドライバー|IPMHVIC| RESURF| Gate Driver| IPM

要約(英語): The 2nd generation divided RESURF structure has been developed by applying a P- epitaxial -on-P- substrate layer and micro- N+ buried layer (micro-NB) provided at the edge region of the N+ buried layer (NB). The micro-NB reduces the electric field around

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,118 Kバイト