ＳｉＣ結晶のイオン注入活性化アニール過程における結晶回復と点欠陥の再配置

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: SPC08155

グループ名: 【D】産業応用部門　半導体電力変換研究会

発行日: 2008/10/24

タイトル(英語): Crystalline Recovery and Point Defects Re-arrangement during Activation Annealing of Implanted SiC Crystal

著者名: 服部 亮(三菱電桔,三谷武志(TRC),渡辺友省三菱電桔,炭谷博昭[三菱電桔,大森達夫[三菱電桔])

著者名(英語): Ryo Hattori(Melco),Takeshi Mitsni(TRC),Tomokatsu Watanabe(Melco),Hiroaki Sumitani(Melco),Tatsuo Oomori(Melco)

キーワード: ＳｉＣ結晶|イオン注入|活性化アニール|結晶回復|点欠陥|カソード・ルミネッセンス|SiC|Ion Implantation||Activation Annealing|Crystalline Recovery|Point Defects|Cathodo Luminescence

要約(日本語): イオン注入により誘起されるSiC結晶中の結晶損傷と活性化アニール処理による結晶回復過程を、キャリア活性化と点欠陥の拡散・生成・消滅の観点から、850℃～2,000℃の温度域に亘り、注入領域と注入外領域に亘って調査した。不純物拡散の起こらないSiC結晶において、結晶回復の過程で、点欠陥の拡散・生成・消滅が目まぐるしく展開し、その結果として注入イオンが活性化することが分かった。また、注入領域外のエピ結晶全体に亘り点欠陥の再配置が進行していることが分かった。

要約(英語): Activation annealing of Al implanted 4H-SiC epitaxial layer at 850C-2000C were investigated from the point of view of implanted carrier activation and the re-arrangement of point defects as the background of device operation.

原稿種別: 日本語

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