GaN縦型パワーデバイスの最近の進展

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: SPC08156

グループ名: 【D】産業応用部門　半導体電力変換研究会

発行日: 2008/10/24

タイトル(英語): Recent Advances on GaN Vertical Power Devices

著者名: 加地徹 (豊田中央研究所)

著者名(英語): Tetsu Kachi(TOYOTA Central R&D Labs.,Inc.)

キーワード: GaN|パワーデバイス|縦型構造|GaN基板|ノーマリオフ|オン抵抗|GaN|power device|vertical structure|GaN substrate|normally-off|on-resistance

要約(英語): For high power switching devices, a vertical device structure of a GaN power device has been proposed. This structure was similar to double diffused MOSFET without hetero-structure channel. The fabricated device had low specific on resistance of 2.6 mΩ?cm

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 861 Kバイト